-
1 P-N junction electrical breakdown
электрический пробой p-n перехода
Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > P-N junction electrical breakdown
-
2 claquage électrique (d'une jonction P-N)
электрический пробой p-n перехода
Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > claquage électrique (d'une jonction P-N)
-
3 elektrischer Durchbruch des pn- Überganges
электрический пробой p-n перехода
Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > elektrischer Durchbruch des pn- Überganges
См. также в других словарях:
p-n junction electrical breakdown — elektrinis pn sandūros pramušimas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. p n junction electrical breakdown vok. elektrischer Durchschlag des pn Überganges, m rus. электрический пробой p n перехода, m pranc. claquage électrique d’une jonction … Fizikos terminų žodynas
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
p-n junction — A silicon p–n junction with no applied voltage. A p–n junction is formed at the boundary between a P type and N type semiconductor created in a single crystal of semiconductor by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or… … Wikipedia
P-n junction — A p n junction is a junction formed by combining P type and N type semiconductors together in very close contact. The term junction refers to the region where the two regions of the semiconductor meet. It can be thought of as the border region… … Wikipedia
P-n junction isolation — is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p n junctions. Contents 1 Introduction 2 Operation 3 History 4 … Wikipedia
Avalanche breakdown — is a phenomenon that can occur in both insulating and semiconducting materials. It is a form of electric current multiplication that can allow very large currents to flow within materials which are otherwise good insulators. Explanation Avalanche … Wikipedia
Neuromuscular junction — Electron micrograph showing a cross section through the neuromuscular junction. T is the axon terminal, M is the muscle fiber. The arrow shows junctional folds … Wikipedia
claquage électrique d’une jonction p-n — elektrinis pn sandūros pramušimas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. p n junction electrical breakdown vok. elektrischer Durchschlag des pn Überganges, m rus. электрический пробой p n перехода, m pranc. claquage électrique d’une jonction … Fizikos terminų žodynas
elektrinis pn sandūros pramušimas — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. p n junction electrical breakdown vok. elektrischer Durchschlag des pn Überganges, m rus. электрический пробой p n перехода, m pranc. claquage électrique d’une jonction p n, m … Fizikos terminų žodynas
elektrischer Durchschlag des pn Überganges — elektrinis pn sandūros pramušimas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. p n junction electrical breakdown vok. elektrischer Durchschlag des pn Überganges, m rus. электрический пробой p n перехода, m pranc. claquage électrique d’une jonction … Fizikos terminų žodynas
электрический пробой p-n перехода — elektrinis pn sandūros pramušimas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. p n junction electrical breakdown vok. elektrischer Durchschlag des pn Überganges, m rus. электрический пробой p n перехода, m pranc. claquage électrique d’une jonction … Fizikos terminų žodynas
